Валюта
Добро пожаловать, Вход
Внимание! Сайт shop.stabilitron.ru переехал!
Подписаться Отписаться
-- цене: низкая цене: высокая наименованию: А-Я наименованию: Я-А скидки Сортировать по
Транзисторы КТ904А 2Т904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ904Б 2Т904Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ907А 2Т907А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается...
Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ909А 2Т909А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается...
Транзисторы КТ909Б 2Т909Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается...
Сборки КТ9101АС 2Т9101АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350...700 МГц в схеме с общей Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ9103А-2 2Т9103А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзисторы КТ9104А 2Т9104А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в полосе частот 350...700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Сборки КТ9105АС 2Т9105АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначены Аля применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзистор КТ9109А 2Т9109А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в импульсных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ920А 2Т920А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ920Б 2Т920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ920В 2Т920В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ922Б 2Т922Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ922В 2Т922В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ926А 2Т926А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных модуляторах. Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзистор КТ9111А 2Т9111А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...80 МГц при напряжении питания 50 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Мощные биполярные n-p-n транзисторы 2Т9113А с рассеиваемой мощностью 50 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока не более 180 МГц. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзисторы 2Т9116А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзистор 2Т9119А-2 кремниевый эпитаксиально-планарной структуры n-p-n генераторный. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзисторы КТ911А 2Т911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ911Б 2Т911Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
2Т9123А мощные биполярные n-p-n транзисторы Дарлингтона с рассеиваемой мощностью 60 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц. Тип корпуса КТ-9. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
KТ9123Б 2Т9123Б мощные биполярные n-p-n транзисторы Дарлингтона с рассеиваемой мощностью 60 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц. Тип корпуса КТ-9. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ9124А 2Т9124А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях и генераторах импульсного KТ9124А 2Т9124А и непрерывного KТ9124А 2Т9124А режимов работы в диапазоне частот 3,1...3,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 24 В в импульсном...
Сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100...500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ9127А 2Т9127А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,025...1,15 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 50 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Сборка KТ9132АС 2Т9132АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот 350...700 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 30 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Сборка KТ9136АС 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ913А 2Т913А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ913Б 2Т913Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ913В 2Т913В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Транзисторы 2Т9146А, 2Т9146Б, 2Т9146В, 2Т9146Г, 2Т9146Д, 2Т9146Е, 2Т9146Ж, 2Т9146И, 2Т9146К предназначены для применения в импульсных широкополосных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,45... 1,55 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 45 В....
Транзисторы KТ914А 2Т914А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Сборка KТ9161АС 2Т9161АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200...500 МГц при напряжении питания 45 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n мощный СВЧ импульсный генераторный транзистор с общей базой. Транзисторы KТ9164АС 2Т9164АС предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот (1030-1090) МГц аппаратуры специального назначения. Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44. Описание взято с сайта ...
Транзисторы KТ916А 2Т916А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты, автогенераторах на частотах 0,2...1 ГГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ транзистор. KТ9175В 2Т9175В предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 140-512 МГц. Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Мощные СВЧ 2Т9196А-2 транзисторы для систем опознавания. Используются в бортовой, авиационной и ракетно-космической технике. Транзисторы имеют золотую контактную металлизацию, обладают высокой надежностью. тип корпуса КТ-61. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
на страницу: 10 20 50 50
Мои списки
Нет товаров
Доставка 0 руб. Всего 0 руб.
исключая налог
Корзина Оформить
В данный момент новых товаров нет
