Транзисторы 2Т935А, КТ935А выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т935А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.

Основные технические характеристики транзистора 2Т935А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 51 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 30 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,066 Ом