Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.

Основные технические характеристики транзистора KТ930Б 2Т930Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 75 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 11 пс