Валюта
Добро пожаловать, Вход
Внимание! Сайт shop.stabilitron.ru переехал!
Подписаться Отписаться
-- цене: низкая цене: высокая наименованию: А-Я наименованию: Я-А скидки Сортировать по
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ921А 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ922А 2Т922А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ925А 2Т925А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ925Б 2Т925Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ925В 2Т925В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ928А 2Т928А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 3 г. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ928Б 2Т928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 3 г. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ929А 2Т929А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ930А 2Т930А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ930Б 2Т930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ931А 2Т931А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ932А 2Т932А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ934А 2Т934А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ934Б 2Т934Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ934В 2Т934В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ935А 2Т935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 0,9...5 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ938А-2 2Т938А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы KТ939А 2Т939А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзистор KТ941А 2Т941А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p генераторный. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилит елях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзистор КТ944А 2Т944А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный. Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ945А 2Т945А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ946А 2Т946А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения а усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,4...1,5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ947А 2Т947А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,1...1,5 МГц при напряжении питания 27 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ948А 2Т948А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,3 ГГц в схеме с общей базой. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ948Б 2Т948Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,3 ГГц в схеме с общей базой. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru
Транзисторы КТ955А 2Т955А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ956А 2Т956А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ957А 2Т957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ958А 2Т958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ960А 2Т960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ962А 2Т962А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ962Б 2Т962Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзистор КТ964А 2Т964А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный линейный. Предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 30...80 МГц при напряжении питания 40 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ965А 2Т965А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
Транзисторы КТ966А 2Т966А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В. Описание взято с сайта http://www.eandc.ru...
на страницу: 10 20 50 50
Мои списки
Нет товаров
Доставка 0 руб. Всего 0 руб.
исключая налог
Корзина Оформить
В данный момент новых товаров нет
